DIMM — определение параметров планки памяти по маркировке Kingston

Олег

4 июля 2023

Идентификация спецификации модулей оперативной памяти Kingston по маркировке. Kingston FURY, Server Premier ValueRAM, HyperX, DDR5, DDR4, DDR3, DDR2, DDR.

Kingston FURY DDR5

KF556C38BBE2AK2-32

KF 5 56 C 38 B B E 2 A K2 — 16

KF = линейка продукции
- KF — Kingston FURY
5 = технология
- 5 — DDR5
56 = скорость(MT/s*)
- 52 — 5200
- 56 — 5600
- 60 — 6000
- 64 — 6400
- 68 — 6800
- 72 — 7200
C = тип модуля
- C — UDIMM (небуферизованный, без ECC)
- S — SODIMM (небуферизованный, без ECC)
- R — EC8 RDIMM (x80)
38 = CAS-латентность
- 32 — CL32
- 36 — CL36
- 38 — CL38
- 40 — CL40
B = серия
- B — Beast
- I — Impact
- R — Renegade
B = теплоотвод
- B — черный
- S — Серебристый
- W — белый
E = Тип Профиль
- не указано — Intel XMP / Plug and Play
- E — AMD EXPO
2 = версия
- не указано — 1ᴙ версия
- 2 — 2ᴙ версия
- 3 — 3ᴙ версия
A = RGB
- не указано — Без RGB-подсветки
- A — RGB
K2 = комплект + количество модулей
- не указано — отдельный модуль
- K2 — комплект из 2 модулей
- K4 — комплект из 4 модулей
- K8 — комплект из 8 модулей
16 = общая емкость
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
- 64 — 64 ГБ
- 128 — 128 ГБ
- 256 — 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR5

KSM48R40BD4TMP-64HMR

KSM 48 R 40B D 4 T M P — 64 H M R

KSM = линейка продукции
- KSM — Kingston Server Premier
48 = Скорость (MT/s*)
- 48 — 4800
- 52 — 5200
- 56 — 5600
R = тип модуля
- E — EC4 UDIMM (x72)
- L — EC8 LRDIMM (x80)
- P — EC4 RDIMM (x72)
- R — EC8 RDIMM (x80)
- T — EC4 SODIMM (x72)
40B = CAS-латентность
- 40B — CL40-39-39
- 42 — CL42-42-42
- 46B — CL46-45-45
D = ранки
- S — одноранковый
- D — двухранковый
- Q — четырехранковый
4 = тип памяти DRAM
- 4 — x4
- 8 — x8
T = PMIC
- I — Renesas
- K — RichTek
- M — Montage
- P — MPS
- T — TI
M = концентратор SPD
- I — Renesas
- M — Montage
- R — Rambus
P = термодатчик
- I — Renesas
- M — Montage
- P — MPS
- R — Rambus
64 = общая емкость
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
- 64 — 64 ГБ
- 128 — 128 ГБ
H = производитель DRAM
- H — SK Hynix
- M — Micron
- S — Samsung
M = версия кристалла DRAM
- A — A Die
- C — C Die
- E — E Die
- M — M Die
R = регистр
- I — Renesas
- M — Montage
- R — Rambus

Kingston ValueRAM DDR5

KVR48U40BS8K2-32X

KVR 48 U 40B S 8 K2 — 32 X

KVR = линейка продукции
- KVR — Kingston ValueRAM
48 = Скорость (MT/s*)
- 48 — 4800
- 52 — 5200
- 56 — 5600
- 60 — 6000
U = тип модуля
- U — DIMM (небуферизованный, без ECC)
- S — SO-DIMM (небуферизованный, без ECC)
40B = CAS-латентность
- 40B — CL40
- 42B — CL42
- 46B — CL46
S = ранки
- S — одноранковый
- D — двухранковый
8 = тип памяти DRAM
- 8 — x8
- 6 — x16
K2 = комплект + количество модулей
- не указано — отдельный модуль
- K2 — комплект из 2 модулей
- K4 — комплект из 4 модулей
32 = общая емкость
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
- 64 — 64 ГБ
- 128 — 128 ГБ
- 256 — 256 ГБ
X = адаптация
- не указано — стандартный пакет
- BK — большой пакет

Kingston FURY DDR4/DDR3

KF432C16BB1AK4/64

KF 4 32 C 16 B B 1 A K4 / 64

KF = линейка продукции
- KF — Kingston FURY
4 = технология
- 3 — DDR3
- 4 — DDR4
32 = скорость (MT/s*)
- 16 — 1600 (1.5V)
- 16L — 1600 (1.35V)
- 18 — 1866 (1.5V)
- 18L — 1866 (1.35V)
- 26 — 2666
- 32 — 3200
- 36 — 3600
- 37 — 3733
- 40 — 4000
- 42 — 4266
- 46 — 4600
- 48 — 4800
- 50 — 5000
- 51 — 5133
- 53 — 5333
C = тип модуля
- C — UDIMM (небуферизованный, без ECC)
- S — SODIMM (небуферизованный, без ECC)
16 = CAS-латентность
- 9 — CL9
- 10 — CL10
- 11 — CL11
- 13 — CL13
- 15 — CL15
- 16 — CL16
- 17 — CL17
- 18 — CL18
- 19 — CL19
- 20 — CL20
B = серия
- B — Beast
- R — Renegade
- I — Impact
B = теплоотвод
- не указано — синий
- B — черный
- R — красный
- W — белый
1 = версия
- не указано — 1я версия
- 1 — модули 16 ГБ с компонентами 1Gx8 (8 Гбит)
- 2 — 2я версия
- 3 — 3я версия
- 4 — 4th Revision
A = RGB
- не указано — Без RGB-подсветки
- A — RGB-подсветка
K4 = комплект + количество модулей
- Пусто — отдельный модуль
- K2 — комплект из 2 модулей
- K4 — комплект из 4 модулей
- K8 — комплект из 8 модулей
64 = общая емкость
- 4 — 4 ГБ
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
- 64 — 64 ГБ
- 128 — 128 ГБ
- 256 — 256 ГБ

Kingston Server Premier DDR4

KSM26RD4L/32HAI

KSM 26 R D 4 L / 32 H A I

KSM = линейка продукции
- KSM — Kingston Server Premier
26 = Скорость (MT/s*)
- 24 — 2400
- 26 — 2666
- 29 — 2933
- 32 — 3200
R = Тип модуля
- E — модуль DIMM без буфера (ECC)
- R — зарегистрированный модуль DIMM
- L — модуль DIMM с уменьшенной нагрузкой
- SE — модуль SO-DIMM без буфера (ECC)
D = Ранки
- S — одинарный
- D — двойной
- Q — Четырех
4 = Тип DRAM
- 4 — x4
- 8 — x8
L = Профиль печатной платы
- L — очень низкопрофильный модуль DIMM
32 = общая емкость
- 8 — 8 Гб
- 16 — 16 Гб
- 32 — 32 Гб
- 64 — 64 Гб
- 128 — 128 Гб
- 256 — 256 Гб
H = Изготовитель DRAM
- H — SK Hynix
- M — Micron
A = Новая версия кристалла DRAM
- A — A кристалла
- B — B кристалла
- E — E кристалла
I = Зарегистрировать изготовителя
- I — IDT
- M — Montage
- R — Rambus

Kingston ValueRAM DDR4

KVR21LR15D8LK2/4HBI

KVR 21 L R 15 D 8 L K2 / 4 H B I

KVR = линейка продукции
- KVR — Kingston ValueRAM
21 = Скорость (MT/s*)
- 21 — 2133
- 24 — 2400
- 26 — 2666
- 29 — 2933
- 32 — 3200
L = Низковольтный
- Не указано — 1,2 В
R = тип модуля
- E — небуферизованный DIMM (с ECC) с термодатчиком
- L — DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- N — небуферизованный DIMM (без ECC)
- R — регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд с термодатчиком
- S — SODIMM, небуферизованный (без ECC)
15 = CAS-латентность
- 15 — CL15
- 19 — CL19
- 22 — CL22
D = Ранки
- S — одноранковый
- D — двухранковый
- Q — четырехранковый
- O — восьмиранковый
8 = тип памяти DRAM
- 4 — x4
- 8 — x8
- 6 — x16
L = профиль
- Не указано — любая высота
- H — 31,25 мм
- L — 18,75 мм (VLP)
K2 = комплект + количество модулей
- Не указано — отдельный модуль
- K2 — комплект из 2 модулей
- K3 — комплект из 3 модулей
4 = общая емкость
- 4 — 4 ГБ
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
H = производитель DRAM
- H — SK Hynix
- K — Kingston
- M — Micron
- S — Samsung
B = Версия
- B — Версия
I = Сертификация Intel
- I — Сертификация Intel

Kingston Design-In DDR5

CBD48S40BD8MA-32

CBD 48 S 40B D 8 M A — 32

CBD = линейка продукции
- CBD — модуль Kingston Design-In DRAM
48 = Скорость (МТ/с*)
- 48 — 4800
- 52 — 5200
- 56 — 5600
S = тип модуля
- U — небуферизованный DIMM (без ECC)
- S — SODIMM, небуферизованный (без ECC)
40B = CAS-латентность
- 40B — CL40-39-39
- 42 — CL42-42-42
- 46B — CL46-45-45
D = ранки
- S — одноранковый
- D — двухранковый
8 = тип памяти DRAM
- 8 — x8
- 6 — x16
M = производитель DRAM
- H — SK Hynix
- M — Micron
- S — Samsung
A = Ревизия чипа DRAM
- A — Ревизия A
- B — Ревизия B
- M — Ревизия M
32 = общая емкость
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ

Kingston Design-In DDR4

CBD26D4U9D8HJV-16

CBD 26 D4 U 9 D 8 H J V — 16

CBD = линейка продукции
- CBD — модуль Kingston Design-In DRAM
26 = Скорость (МТ/с*)
- 21 — 2133
- 24 — 2400
- 26 — 2666
- 32 — 3200
D4 = технология
- D4 — DDR4
U = тип модуля
- U — небуферизованный DIMM (без ECC)
- S — SODIMM, небуферизованный (без ECC)
9 = CAS-латентность
- 5 — CL15-15-15
- 7 — CL17-17-17
- 9 — CL19-19-19
- 2 — CL22-22-22
D = ранки
- S — одноранковый
- D — двухранковый
8 = тип памяти DRAM
- 8 — x8
- 1 — x16
H = производитель DRAM
- H — SK Hynix
- K — Kingston
- M — Micron
- N — Nanya
- S — Samsung
J = Ревизия чипа DRAM
- A — Ревизия A
- B — Ревизия B
- C — Ревизия C
- D — Ревизия D
- E — Ревизия E
- F — Ревизия F
- H — Ревизия H
- J — Ревизия J
- R — Ревизия R
V = тип печатной платы
- черный — с покрытием Flash Gold
- H — с покрытием Hard Gold
- V — очень низкий профиль
16 = общая емкость
- 4 — 4 ГБ
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ

Kingston Design-In DDR3

CBD16D3LFU1KBG/2G

CBD 16 D3L F U 1 K B G — 2G

CBD = линейка продукции
- CBD — модуль Kingston Design-In DRAM
16 = Скорость (МТ/с*)
- 16 — 1600
D3L = технология
- D3 — DDR3 (1,5 В)
- D3L — DDR3L (1,35 В / 1,5 В)
F = тип памяти DRAM
- не указано — x8
- F — x16
U = тип модуля
- U — небуферизованный DIMM (без ECC)
- S — SODIMM, небуферизованный (без ECC)
1 = CAS-латентность
- 1 — CL11-11-11
K = производитель DRAM
- K — Kingston
- S — Samsung
B = Ревизия чипа DRAM
- B — Ревизия B
- D — Ревизия D
- E — Ревизия E
G = тип печатной платы
- L — очень низкий профиль
- G — экологичный (соответствует требованиям RoHS)
- H — с покрытием Hard Gold
2G = общая емкость
- 2G — 2 ГБ
- 4G — 4 ГБ
- 8G — 8 ГБ

HyperX

HX429C15PB3AK4/32

HX 4 29 C 15 P B 3 A K4 / 32

HX = Линейка продукции
- HX — HyperX (прежние модули)
4 = технология
- 3 — DDR3
- 4 — DDR4
29 = скорость (MT/s*)
- 13 — 1333
- 16 — 1600
- 18 — 1866
- 21 — 2133
- 24 — 2400
- 26 — 2666
- 28 — 2800
- 29 — 2933
- 30 — 3000
- 32 — 3200
- 33 — 3333
- 34 — 3466
- 36 — 3600
- 37 — 3733
- 40 — 4000
- 41 — 4133
- 42 — 4266
- 46 — 4600
- 48 — 4800
- 50 — 5000
- 51 — 5133
- 53 — 5333
C = тип памяти DIMM
- C — UDIMM (Non-ECC Unbuffered)
- S — SODIMM (Non-ECC Unbuffered)
15 = CAS-латентность
- 9 — CL9
- 10 — CL10
- 11 — CL11
- 12 — CL12
- 13 — CL13
- 14 — CL14
- 15 — CL15
- 16 — CL16
- 17 — CL17
- 18 — CL18
- 19 — CL19
- 20 — CL20
P = серия
- F — FURY
- B — Beast
- S — Savage
- P — Predator
- I — Impact
B = теплоотвод
- не указано- синий
- B — черный
- R — красный
- W — белый
3 = версия
- 2 — 2я версия
- 3 — 3я версия
- 4 — 4я версия
A = RGB
- не указано — без RGB-подсветки
- A — RGB-подсветка
K4 = комплект + кол-во модулей в комплекте
- не указано — отдельный модуль
- K2 — комплект из 2 модулей
- K4 — комплект из 4 модулей
- K8 — комплект из 8 модулей
32 = общая емкость
- 4 — 4 ГБ
- 8 — 8 ГБ
- 16 — 16 ГБ
- 32 — 32 ГБ
- 64 — 64 ГБ
- 128 — 128 ГБ
- 256 — 256 ГБ

DDR3

KVR16LR11D8LK2/4HB

KVR 16 L R 11 D 8 L K2 / 4 H B

KVR = Kingston ValueRAM
- KVR: Kingston ValueRAM
16 = Скорость (MT/s*)
- 16: 1600
- 13: 1333
- 10: 1066
L = Низковольтный
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
R = Тип модуля
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с
- L: DIMM со сниженной нагрузкой (LRDIMM)
- S: SO-DIMM
11 = Латентность (CAS)
- 11: Латентность (CAS)
D = Ранки
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
8 = Тип DRAM
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
L = Профиль
- L: 18,75mm (VLP)
- H: 30mm
K2 = Комплект + количество единиц продукции
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
- K4: комплект из четырех модулей
4 = хранения
- 4: 4Гб
- 8: 8Гб
- 12: 12Гб
- 16: 16Гб
- 24: 24Гб
- 32: 32Гб
- 48: 48Гб
- 64: 64Гб
H = DRAM MFGR/Сертификация
- H: Hynix
- E: Elpida
- I: Сертификация Intel
B = Версия кристалла
- B: Версия кристалла

DDR3 & DDR2

KVR1066D3LD8R7SLK2/46HB

KVR 1066 D3 L D 8 R 7 S L K2 / 4G H B

KVR = Kingston ValueRAM
- KVR: Kingston ValueRAM
1066 = Скорость (MT/s*)
- 1066: Скорость
D3 = Technology
- D2: DDR2
- D3: DDR3
L = Низковольтный
- Без обозначения: 1,5V
- L: 1,35V
- U: 1,25V
D = Технология
- S: одноранковый
- D: Двухранковый
- Q: Четырехранковые
8 = DRAM
- 4: микросхема DRAM x4
- 8: микросхема DRAM x8
R = Тип модуля
- P: регистровый с контролем четности (только для регистровых модулей)
- E: небуферизованный DIMM (ECC)
- F: FB DIMM
- M: Mini-DIMM
- N: небуферизованный DIMM (не ECC)
- R: регистровый DIMM с функцией контроля четности адресов/команд
- S: SO-DIMM
- U: Micro-DIMM
7 = Латентность (CAS)
- 7: Латентность (CAS)
S = термодатчиком
- Без обозначения: без термодатчика
- S: с термодатчиком
L = Профиль
- Без обозначения:Без обозначения
- L: 18,75mm (VLP)
- H: 30mm
K2 = Комплект + количество единиц продукции
- Без обозначения: Отдельный модуль
- K2: комплект из двух модулей
- K3: комплект из трех модулей
4G = хранения
- 4G: хранения (Гб)
H = DRAM MFGR
- H: DRAM MFGR
B = Версия
- B: Версия